Memoria DDR4 de Samsung de 16 GB
Por Orlando Rojas Pérez – Samsung despachó a fabricantes de servidores de alto rendimiento, muestras de su nueva memoria DDR4 -Double Data Rate 4-, del tipo RDIMMs -Registered Dual Inline Memory Modules–, de 8 y 16 GB de capacidad de almacenamiento, que dobla la velocidad de las memorias DDR3 con sus 3,2 Gbps, alimentados pro 1,2 voltios en lugar de los 1,35 voltios de la DDR3 y fabricadas con tecnología de 30 nanómetros. Por ahora son muestras mientras terminan las especificaciones finales de esta memoria, los despachos masivos ocurrirán durante el año entrante 2013. También para el año entrante Samsung prometió muestras de memoria DDR4 con capacidad de 32 GB y fabricadas con tecnología de 20 nanómetros.
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