Intel y Micron inventan memoria 3D Xpoint

 

Por Orlando Rojas Pérez – Intel y Micron inventan la memoria 3D Xpoint –Estructura de Punto de Cruce- , que debe su nombre a que es construida en tres dimensiones, lo que le permite en teoría, crecer indefinidamente. Desde 1989 no se presentaba un cambio sustancial en los tipos de memoria, es más aún, desde 1947 cuando nació la primera memoria RAM construído con válvulas –tubos- de vacío, solamente han salido al mercado siete tipos de memoria: 1947: la primera llamada RAM; en 1956 la segunda llamada PROM; en 1961 la tercera llamada SRAM; en 1966 la cuarta llamada DRAM; en 1971 la quinta llamada EPROM; en 1981 la sexta llamada Memoria NOR Flash y en 1989 la séptima llamada Memoria NAND Flash. Nunca un paso había demorado tanto, hasta el 2015 que Intel y Micron anuncian su memoria 3D Xpoint. Que se apoya en tres características muy importantes: Capacidad, Rendimiento y que no es volátil. Uno de sus más importantes rasgos es que es 1.000 veces más rápida que la memoria NAND Flash, su antecesora, también es 1.000 veces más resistentes y 10 veces densa. Las primeras producciones se verán a final de este año 2015, pero su aplicación en forma masiva en equipos, tardará.

Operación en detalle
La operación en detalle de la memoria 3D Xpoint es: se construye como la estructura de un edificio, con vigas en cables en un nivel en un sentido y en siguiente nivel en sentido ortogonal –a 90 grados- y columnas donde van las memorias, que están acompañadas por un selector que es afectado por el voltaje recibido, que lo hace escribir o leer la memoria.   

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